- Sections
- C - Chimie; métallurgie
- C23C - Revêtement de matériaux métalliques; revêtement de matériaux avec des matériaux métalliques; traitement de surface de matériaux métalliques par diffusion dans la surface, par conversion chimique ou substitution; revêtement par évaporation sous vide, par pulvérisation cathodique, par implantation d'ions ou par dépôt chimique en phase vapeur, en général
- C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
Détention brevets de la classe C23C 16/18
Brevets de cette classe: 1000
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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Applied Materials, Inc. | 16587 |
94 |
L'Air Liquide, Societe Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procedes Georges Claude | 3515 |
67 |
Adeka Corporation | 1333 |
63 |
ASM IP Holding B.V. | 1715 |
56 |
Tokyo Electron Limited | 11599 |
53 |
Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | 589 |
43 |
Entegris, Inc. | 1736 |
32 |
Up Chemical Co., Ltd. | 55 |
22 |
Versum Materials US, LLC | 591 |
21 |
Merck Patent GmbH | 5909 |
20 |
BASF SE | 19740 |
19 |
American Air Liquide, Inc. | 223 |
19 |
Umicore AG & Co. KG | 867 |
18 |
Tosoh Corporation | 1127 |
17 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
15 |
Hansol Chemical Co., Ltd. | 90 |
15 |
Wayne State University | 655 |
14 |
Lam Research Corporation | 4775 |
13 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
10 |
Dnf Co.,Ltd. | 63 |
10 |
Autres propriétaires | 379 |